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IXFC 96N15P
180
Fig. 7. Input Adm ittance
Fig. 8. Transconductance
160
140
60
50
T J = -40oC
25oC
150oC
120
40
100
80
60
30
20
40
20
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
10
0
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 48A
I G = 10mA
50
T J = 150oC
2
0
T J = 25oC
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
w
g
Fig. 12. 2. Forw ard-Bias s
Safe e Operating Area e a
R D S (o n ) L im it
f = 1MHz
R DS(on) Limit
100
1000
C iss
C oss
100
25μs 5 μs
100μs
1 0 0 μs
1ms
1m s
10ms
10
10
DC
10m s
T J = 1 7 5 oC
100
C rss
1
1
T J = 175oC
T C = 25oC
T C = 2 5 oC
DC
V D S - Volts
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
1
10 100
10 100
V D S - V olts
1000
1000
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